کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1593550 | 1002706 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An ab initio analysis of electronic states associated with a silicon vacancy in cubic symmetry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We calculate the electronic states of a silicon vacancy by an ab initio method. ⺠The electric quadrupole moments strongly depend on sizes simulated. ⺠The quadrupole moments estimated for infinite size indicate enhanced values. ⺠The ratio of two quadrupole moments is consistent with an experimental result.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 151, Issue 21, November 2011, Pages 1605-1608
Journal: Solid State Communications - Volume 151, Issue 21, November 2011, Pages 1605-1608
نویسندگان
T. Ogawa, K. Tsuruta, H. Iyetomi,