کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1593550 1002706 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An ab initio analysis of electronic states associated with a silicon vacancy in cubic symmetry
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
An ab initio analysis of electronic states associated with a silicon vacancy in cubic symmetry
چکیده انگلیسی
► We calculate the electronic states of a silicon vacancy by an ab initio method. ► The electric quadrupole moments strongly depend on sizes simulated. ► The quadrupole moments estimated for infinite size indicate enhanced values. ► The ratio of two quadrupole moments is consistent with an experimental result.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 151, Issue 21, November 2011, Pages 1605-1608
نویسندگان
, , ,