کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1593656 1515675 2009 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature dependent band gap shrinkage in GaN: Role of electron–phonon interaction
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Temperature dependent band gap shrinkage in GaN: Role of electron–phonon interaction
چکیده انگلیسی

We present an experimental investigation of temperature dependent band-gap shrinkage in GaN using photoluminescence spectroscopy. The near-band-edge transition energy shifts to lower energy with increasing temperature. The parameters that describe the temperature-dependent red-shift of the band-edge transition energy are evaluated using different models. It has been found that the semi-empirical relation based on phonon-dispersion related spectral function leads to an excellent fit to the experimental data.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 149, Issues 31–32, August 2009, Pages 1288–1291
نویسندگان
, ,