کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1593656 | 1515675 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature dependent band gap shrinkage in GaN: Role of electron–phonon interaction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We present an experimental investigation of temperature dependent band-gap shrinkage in GaN using photoluminescence spectroscopy. The near-band-edge transition energy shifts to lower energy with increasing temperature. The parameters that describe the temperature-dependent red-shift of the band-edge transition energy are evaluated using different models. It has been found that the semi-empirical relation based on phonon-dispersion related spectral function leads to an excellent fit to the experimental data.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 149, Issues 31–32, August 2009, Pages 1288–1291
Journal: Solid State Communications - Volume 149, Issues 31–32, August 2009, Pages 1288–1291
نویسندگان
Niladri Sarkar, Subhasis Ghosh,