کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1593809 | 1515677 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resonance Raman scattering in graphene: Probing phonons and electrons
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, by using different laser excitation energies, we obtain important electronic and vibrational properties of mono- and bi-layer graphene. For monolayer graphene, we determine the phonon dispersion near the Dirac point for the in-plane transverse optical (iTO) mode. This result is compared with recent calculations that take into account electron–electron correlations for the phonon dispersion around the K point. For bilayer graphene we extract the Slonczewski–Weiss–McClure band parameters and compare them with recent infrared measurements. We also analyze the second-order feature in the Raman spectrum for trilayer graphene.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 149, Issues 27–28, July 2009, Pages 1136–1139
Journal: Solid State Communications - Volume 149, Issues 27–28, July 2009, Pages 1136–1139
نویسندگان
L.M. Malard, D.L. Mafra, S.K. Doorn, M.A. Pimenta,