کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1593832 | 1002717 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Exciton bound to an ionized donor impurity in GaAs/Ga1âxAlxAs ellipsoidal finite-potential quantum dots under hydrostatic pressure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The tunneling effects are very important for the small ellipsoidal quantum dot sizes for the bound exciton system. ⺠The peak of the binding energy shifts towards a smaller ellipsoidal quantum dot size as the pressure is increased. ⺠The binding energy of the bound exciton decreases as the symmetry of the dot shape reduces. ⺠The binding energy increases monotonically as the pressure or Al concentration increases. ⺠The influence of pressure or Al concentration is more pronounced for the smaller quantum dot sizes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 151, Issue 24, December 2011, Pages 1907-1911
Journal: Solid State Communications - Volume 151, Issue 24, December 2011, Pages 1907-1911
نویسندگان
L. Shi, Z.W. Yan,