کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1594022 | 1515652 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Annealing effect on photoluminescence of Tb-doped AlBON films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Annealing effect on photoluminescence of Tb-doped AlBON films Annealing effect on photoluminescence of Tb-doped AlBON films](/preview/png/1594022.png)
چکیده انگلیسی
Photoluminescence (PL) of Tb-doped AlBON (AlBON:Tb) films is investigated. The AlBON:Tb films are synthesized by RF magnetron sputtering. The PL intensity of the film with 800 °C annealing is about 10 times larger than that of the film without annealing. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurement suggests that Tb4+ ions decrease compared with Tb3+ ions after annealing treatment. Oxygen atoms in the AlBON:Tb film are dissociated from Tb and bonded to boron atoms by annealing treatment. It is possible that decrease in Tb4+ ions leads to increase in the PL intensity by annealing treatment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 29â30, August 2010, Pages 1396-1399
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 29â30, August 2010, Pages 1396-1399
نویسندگان
Keiko Masumoto, Chiharu Kimura, Hidemitsu Aoki, Takashi Sugino,