کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1594061 | 1515653 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect-induced rigidity enhancement in layered semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We discuss the mechanism responsible for the observed improvement in the structural properties of In-doped GaSe, a layered material of great current interest. Formation energy calculations show that by tuning the Fermi energy, In can substitute for Ga or can go as an interstitial charged defect (Ini3+). We find that Ini3+ dramatically increases the shear stiffness of GaSe, explaining the observed enhancement in the rigidity of In-doped p-GaSe. The mechanism responsible for rigidity enhancement discussed here is quite general and applicable to a large class of layered solids with weak interlayer bonding.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 27â28, July 2010, Pages 1200-1203
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 27â28, July 2010, Pages 1200-1203
نویسندگان
Zs. Rák, S.D. Mahanti, Krishna C. Mandal, N.C. Fernelius,