کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1594065 | 1515653 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Measuring junction temperature of GaAs solar cells using pulse-width modulation photoluminescence
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A photoluminescence (PL) technique is presented to measure the junction temperature of GaAs solar cells. The technique utilizes the pulse-width modulation of excitation laser and the temperature dependence of PL spectra. The apparent change of PL energy on duty cycle can be advantageously used for the determination of the junction temperature. Varying the duty cycle from 10% to 75% causes an increase of 2.9 K in the junction temperature of GaAs solar cells. The carrier temperature of the junction layer was studied to confirm the result obtained from the pulse-width modulation PL.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 27–28, July 2010, Pages 1217–1220
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 27–28, July 2010, Pages 1217–1220
نویسندگان
M.D. Yang, W.C. Liao, G.W. Shu, Y.K. Liu, J.L. Shen, C.H. Wu, W.C. Chou, Y.C. Lee,