کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1594129 | 1515660 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the applicability of the two-band model to describe transport across n-p junctions in bilayer graphene
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We extend the low-energy effective two-band Hamiltonian for electrons in bilayer graphene (McCann and Fal'ko (2006) [1]) to include a spatially dependent electrostatic potential. We find that this Hamiltonian contains additional terms, as compared to the one used earlier in the analysis of electronic transport in n-p junctions in bilayers (Katsnelson and Novoselov (2006) [3]). However, for potential steps |u|<γ1 (where γ1 is the interlayer coupling), the corrections to the transmission probability due to such terms are small. For the angle-dependent transmission T(θ) we find T(θ)â
sin2(2θ)â(2u/3γ1)sin(4θ)sin(θ), which slightly increases the Fano factor: Fâ
0.241 for u=40meV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 13â14, April 2010, Pages 632-635
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 13â14, April 2010, Pages 632-635
نویسندگان
C.J. Poole,