کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1594295 | 1515646 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Artificial Haldane gap material on a semiconductor chip
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We show how nanostructuring of a metallic gate of a field-effect transistor (FET) converts the electron channel of an FET to an artificial Haldane chain with a gap in the energy spectrum. A specially designed gate structure creates a chain of triple quantum dot molecules. The electrons localized in the molecules realize a spin-half Heisenberg chain with spin–spin interactions alternating between ferromagnetic and antiferromagnetic. The quantum state of an FET is a semiconductor implementation of an integer spin-one antiferromagnetic Heisenberg chain with a unique correlated ground state and a finite energy gap, originally conjectured by Haldane.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 41–42, November 2010, Pages 2065–2068
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 41–42, November 2010, Pages 2065–2068
نویسندگان
Yun-Pil Shim, Anand Sharma, Chang-Yu Hsieh, Pawel Hawrylak,