کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1594330 | 1515693 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Measurement of linear-response Coulomb drag in insulating a-Si1âxNbx bilayer systems
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report observations of the Coulomb drag effect between insulating a- Si1âxNbx films. We find that a linear-response transresistivity (Ïd) can only be realized over a limited range of experimental parameters. We observe an anomalous decrease in the single layer resistance and transresistance at low temperatures (T<3K) due to an additional non-linear response coupling, which is in need of further investigation. In this manuscript, we focus on the behaviour at not too low temperatures (3K
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 148, Issues 7â8, November 2008, Pages 261-266
Journal: Solid State Communications - Volume 148, Issues 7â8, November 2008, Pages 261-266
نویسندگان
K. Elsayad, J.P. Carini, D.V. Baxter,