کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1594387 1515649 2010 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical interpretation of the zero-field splitting parameters for Fe3+ ions in wide-band gap semiconductor TlGaSe2 single crystal
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Theoretical interpretation of the zero-field splitting parameters for Fe3+ ions in wide-band gap semiconductor TlGaSe2 single crystal
چکیده انگلیسی
Superposition model (SPM) calculations are carried out to provide theoretical interpretation of the zero-field splitting (ZFS) parameters and investigate the local environment around the Fe3+ centers in a TlGaSe2 single crystal. Experimental electron magnetic resonance (EMR) data are analyzed and compared with the ZFS parameter values predicted by SPM based on the orthorhombic approximation of structural data. The results provide an adequate interpretation of the ZFS parameters obtained by fitting EMR spectra and indicate that Fe3+ ions substitute for the Ga3+ ions in TlGaSe2 crystal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 35–36, September 2010, Pages 1610-1613
نویسندگان
, , ,