کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1594387 | 1515649 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical interpretation of the zero-field splitting parameters for Fe3+ ions in wide-band gap semiconductor TlGaSe2 single crystal
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Theoretical interpretation of the zero-field splitting parameters for Fe3+ ions in wide-band gap semiconductor TlGaSe2 single crystal Theoretical interpretation of the zero-field splitting parameters for Fe3+ ions in wide-band gap semiconductor TlGaSe2 single crystal](/preview/png/1594387.png)
چکیده انگلیسی
Superposition model (SPM) calculations are carried out to provide theoretical interpretation of the zero-field splitting (ZFS) parameters and investigate the local environment around the Fe3+ centers in a TlGaSe2 single crystal. Experimental electron magnetic resonance (EMR) data are analyzed and compared with the ZFS parameter values predicted by SPM based on the orthorhombic approximation of structural data. The results provide an adequate interpretation of the ZFS parameters obtained by fitting EMR spectra and indicate that Fe3+ ions substitute for the Ga3+ ions in TlGaSe2 crystal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 35â36, September 2010, Pages 1610-1613
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 35â36, September 2010, Pages 1610-1613
نویسندگان
Muhammed Açıkgöz, PaweÅ Gnutek, CzesÅaw Rudowicz,