کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1594487 | 1515664 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhancement of valley splitting in (100) Si MOSFETs at high magnetic fields
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Enhancement of valley splitting in (100) Si MOSFETs at high magnetic fields Enhancement of valley splitting in (100) Si MOSFETs at high magnetic fields](/preview/png/1594487.png)
چکیده انگلیسی
We report the density and magnetic field dependence of the valley splitting of two-dimensional electrons in (100) Si metal–oxide–semiconductor field-effect transistors, as determined via activation measurements in the quantum Hall regime. We find that the valley activation gap can be greatly enhanced at high magnetic fields as compared to the bare valley splitting. The observation of strong dependence of the valley activation gap on orbital Landau level occupancy and similar behavior of nearby spin gaps suggest that electron–electron interactions play a large role in the observed enhancement.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 5–6, February 2010, Pages 231–234
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 5–6, February 2010, Pages 231–234
نویسندگان
L.A. Tracy, K. Eng, K. Childs, M.S. Carroll, M.P. Lilly,