کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1594817 | 1515658 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The calculated composition of Ge1âzCz/Ge1âxâySixSny heterostructure grown on Si for direct gap emission from Ge1âzCz at 1.55μm
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have calculated the composition of tensile strained Ge1âzCz on Ge1âxây Six Sny heterostructures for which the indirect conduction band (L) lies above the zone centre (Î) conduction band in the GeC layer in type I alignment. Linear interpolation of parameters indicates the possibility of achieving emission at 1.55 μm; however the direct gap shows a lower value when bowing parameters are considered.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 17â18, May 2010, Pages 844-847
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 17â18, May 2010, Pages 844-847
نویسندگان
Sumitra Ghosh, P.K. Basu,