کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1594817 1515658 2010 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The calculated composition of Ge1−zCz/Ge1−x−ySixSny heterostructure grown on Si for direct gap emission from Ge1−zCz at 1.55μm
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The calculated composition of Ge1−zCz/Ge1−x−ySixSny heterostructure grown on Si for direct gap emission from Ge1−zCz at 1.55μm
چکیده انگلیسی
We have calculated the composition of tensile strained Ge1−zCz on Ge1−x−y Six Sny heterostructures for which the indirect conduction band (L) lies above the zone centre (Γ) conduction band in the GeC layer in type I alignment. Linear interpolation of parameters indicates the possibility of achieving emission at 1.55 μm; however the direct gap shows a lower value when bowing parameters are considered.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 17–18, May 2010, Pages 844-847
نویسندگان
, ,