کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1595000 | 1515712 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bias-tunable electron transport properties in a nanostructure with two parallel-magnetic barriers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Bias-tunable electron transport properties in a nanostructure with two parallel-magnetic barriers Bias-tunable electron transport properties in a nanostructure with two parallel-magnetic barriers](/preview/png/1595000.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, the spin-dependent electron transport is studied in detail in a nanostructure under an applied bias and two parallel-magnetic barriers. We find that the large spin polarization can be achieved in such a device, and the degree of electron-spin polarization strongly depends on the applied bias. These interesting properties may provide an alternative scheme to spin-polarize electrons into semiconductors, and this device may be used as a bias-tunable spin filter.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 145, Issues 5â6, February 2008, Pages 271-274
Journal: Solid State Communications - Volume 145, Issues 5â6, February 2008, Pages 271-274
نویسندگان
Jian-Duo Lu,