کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1595039 | 1515668 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A virtual intersubband spin–flip spin–orbit coupling induced spin relaxation in GaAs (110) quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A spin relaxation mechanism is proposed based on a second-order spin–flip intersubband spin–orbit coupling together with the spin-conserving scattering. The corresponding spin relaxation time is calculated via the Fermi golden rule. It is shown that this mechanism is important in symmetric GaAs (110) quantum wells with high impurity density. The dependencies of the spin relaxation time on electron density, temperature and well width are studied with the underlying physics analyzed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 149, Issues 45–46, December 2009, Pages 2078–2081
Journal: Solid State Communications - Volume 149, Issues 45–46, December 2009, Pages 2078–2081
نویسندگان
Y. Zhou, M.W. Wu,