کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1595289 | 1002770 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photo-excited zero-resistance states in quasi-two-dimensional GaAs / AlxGa1âxAs devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Photo-excited zero-resistance states in quasi-two-dimensional GaAs / AlxGa1âxAs devices Photo-excited zero-resistance states in quasi-two-dimensional GaAs / AlxGa1âxAs devices](/preview/png/1595289.png)
چکیده انگلیسی
We illustrate some experimental features of the recently discovered radiation-induced zero-resistance states in the high-mobility GaAs/AlGaAs system, with a special emphasis on the interplay between the radiation-induced changes in the diagonal resistance and the Hall effect. We show that, quantum Hall effects, i.e., quantum Hall plateaus, disappear under photoexcitation, at the minima of the radiation-induced magnetoresistance oscillations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 144, Issue 9, December 2007, Pages 409-412
Journal: Solid State Communications - Volume 144, Issue 9, December 2007, Pages 409-412
نویسندگان
R.G. Mani,