کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1595344 | 1002773 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mobility-independent doping in crystalline rubrene field-effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report doping effects in an organic semiconductor, crystalline rubrene. Oxygen-related states are introduced (removed) by annealing in oxygen (vacuum), at an elevated temperature. Room temperature stability is found in the resulting effects: (1) about two orders of magnitude increase in carrier density at equilibrium, (2) significant modification of threshold voltages, and (3) an unchanged field-effect mobility in the on-current state. Density of states data are modeled as tunneling from the valence band in the channel region into deep-level acceptors in the adjacent region. These oxygen acceptors are the likely dopant species.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 142, Issue 9, June 2007, Pages 483–486
Journal: Solid State Communications - Volume 142, Issue 9, June 2007, Pages 483–486
نویسندگان
Woo-young So, J. Magnus Wikberg, David V. Lang, Oleg Mitrofanov, Christian L. Kloc, Theo Siegrist, Arthur M. Sergent, Arthur P. Ramirez,