کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1595497 | 1515721 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Weak antilocalization and beating pattern in an InGaAs/InAlAs quantum well
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have observed the weak antilocalization (WAL) and beating SdH oscillation through magnetotransport measurements performed on a heavily δδ-doped In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As single quantum well in an applied magnetic field up to 13 T and a temperature at 1.5 K. Both effects are caused by the strong Rashba spin–orbit (SO) coupling due to high structure inversion asymmetry (SIA). The Rashba SO coupling constant αα and zerofield spin splitting Δ0 are estimated and the obtained values are consistent from different analysis for this sample.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 143, Issues 6–7, August 2007, Pages 300–303
Journal: Solid State Communications - Volume 143, Issues 6–7, August 2007, Pages 300–303
نویسندگان
W.Z. Zhou, T. Lin, L.Y. Shang, G. Yu, Z.M. Huang, S.L. Guo, Y.S. Gui, N. Dai, J.H. Chu, L.J. Cui, D.L. Li, H.L. Gao, Y.P. Zeng,