کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1595652 | 1515709 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band structure related wave-function symmetry of amphoteric Si dopants in GaAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Band structure related wave-function symmetry of amphoteric Si dopants in GaAs Band structure related wave-function symmetry of amphoteric Si dopants in GaAs](/preview/png/1595652.png)
چکیده انگلیسی
Autocompensated Si-doped GaAs is studied with cross-sectional scanning tunnelling spectroscopy (X-STS). The local electronic contrasts of substitutional Si(Ga) donors and Si(As) acceptors under the (110) cleavage plane are imaged with high resolution. Si(Ga) donor atoms exhibit radially symmetrical contrasts. Si(As) acceptors have anisotropic features. The anisotropic acceptor contrasts are traced back to a tunnel process at the valence band edge. They reflect the probability density distribution of the localized acceptor hole state.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 145, Issues 11–12, March 2008, Pages 551–555
Journal: Solid State Communications - Volume 145, Issues 11–12, March 2008, Pages 551–555
نویسندگان
S. Loth, M. Wenderoth, K. Teichmann, R.G. Ulbrich,