کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1595686 | 1645419 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Highly strained metastable structures and selective area epitaxy of Ge-rich Ge1âxSix/Si(100) materials using nanoscale building blocks
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Low-temperature heteroepitaxy (330Â âC-430Â âC) of Si0.5Ge0.5 and Si0.25Ge0.75 on Si(100) using single-source silyl-germanes [ SiH3GeH3,HSi(GeH3)3] produces monocrystalline structures, smooth and continuous surface morphologies and low defect densities. The metastable compressive strain in these films is dramatically enhanced relative to alternative growth methods. At such low temperatures the material grows seamlessly, conformally, and selectively in the “source/drain” regions of prototypical transistors. These results suggest that films grown via silyl-germanes could have applications in optoelectronics and as stressors for mobility enhancement in Si devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 149, Issues 1â2, January 2009, Pages 78-81
Journal: Solid State Communications - Volume 149, Issues 1â2, January 2009, Pages 78-81
نویسندگان
Y.-Y. Fang, V.R. D'Costa, J. Tolle, J.B. Tice, C.D. Poweleit, J. Menéndez, J. Kouvetakis,