کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1595774 | 1515711 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gate-controlled transport in GaN nanowire devices with high- k Si3N4 gate dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The high dielectric constant layer, Si3N4, was applied to the GaN nanowire devices. Single-crystalline wurtzite GaN nanowires prepared by the vapor-liquid-solid method were utilized to fabricate GaN nanowire field-effect transistor structures with Si3N4 and SiO2 dielectric layers in order to investigate the effect of a high-k dielectric layer on the electrical characteristics of the GaN nanowires. By applying high-k gate dielectrics to GaN nanowire devices, higher drain current, lower subthreshold swing, and threshold voltage shift were obtained in spite of the slight degradation of the channel mobility due to the surface phonon scattering and the electrical scattering at fixed charges and trapped charges.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 145, Issues 7â8, February 2008, Pages 327-331
Journal: Solid State Communications - Volume 145, Issues 7â8, February 2008, Pages 327-331
نویسندگان
Jae-Woong Lee, Moon-Ho Ham, Jae-Min Myoung,