کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1595827 | 1515725 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhancement of field emission of SnO2 nanowires film by exposure of hydrogen gas
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effect of hydrogen (H2) gas exposure on the field emission properties of tin oxide (SnO2) nanowires films synthesized by the carbon thermal reduction vapor transport method was investigated. The exposure of H2 gas results in the reduction of the turn-on voltage for driving a current of 10 nA from 7.6 V/μm to 5.5 V/μm and the increase of the field current based on 10 V/μm from 0.47 μA to 2.1 μA. The Fowler–Nordheim plot obtained from the current–voltage data supports that the field emission enhancement of SNW film is attributed to the reduction of the work function by the H2 exposure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 140, Issues 11–12, December 2006, Pages 495–499
Journal: Solid State Communications - Volume 140, Issues 11–12, December 2006, Pages 495–499
نویسندگان
Hoon-Sik Jang, Sung-Oong Kang, Yong-Il Kim,