کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1595915 | 1515700 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Pushing p-type conductivity in ZnO by (Zr, N) codoping: A first-principles study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Pushing p-type conductivity in ZnO by (Zr, N) codoping: A first-principles study Pushing p-type conductivity in ZnO by (Zr, N) codoping: A first-principles study](/preview/png/1595915.png)
چکیده انگلیسی
Zr mono-doped and (Zr, N) co-doped ZnO are investigated by the first-principles calculations. It is found that Zr prefers to substitute Zn site under most growth conditions. The passive (N–Zr–N) complexes create a fully occupied impurity band above the valence-band maximum (VBM) of ZnO, which helps p-type conductivity by reducing the ionization energy, consistent with a new approach to overcome the doping asymmetry [Y.F. Yan, J.B. Li, S.H. Wei, and M.M. Al-Jassim, Phys. Rev. Lett. 98 (2007) 135506]. In comparison with (Ga, N) co-doping, (Zr, N) is found to be probably better dopants to push p-type conductivity in ZnO through the new approach with easier formation of the passive impurity band.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 147, Issues 5–6, August 2008, Pages 194–197
Journal: Solid State Communications - Volume 147, Issues 5–6, August 2008, Pages 194–197
نویسندگان
Xin-Ying Duan, Yu-Jun Zhao, Ruo-He Yao,