کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1596093 | 1002805 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Anomalous temperature dependence of photoluminescence peak energy in InAs/InAlAs/InP quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have observed an unusual temperature sensitivity of the photoluminescence (PL) peak energy for InAs quantum dots grown on InAs quantum wires (QDOWs) on InP substrate. The net temperature shift of PL wavelength of the QDOWs ranges from 0.8 to −4 Å/°C depending upon the Si doping concentration in the samples. This unusual temperature behavior can be mainly ascribed to the stress amplification in the QDOWs when the thermal strain is transferred from the surrounding InAs wires. This offers an opportunity for realizing quantum dot laser devices with a temperature insensitive lasing wavelength.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 137, Issue 11, 2006, Pages 606–610
Journal: Solid State Communications - Volume 137, Issue 11, 2006, Pages 606–610
نویسندگان
W. Lei, Y.H. Chen, B. Xu, P. Jin, Y.L. Wang, Ch. Zhao, Z.G. Wang,