کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1596167 | 1515722 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structure of the Ge–Sb–Te phase-change materials studied by theory and experiment
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have studied the structure of GeSb2Te4, GeSb4Te7, and Ge3Sb2Te6 compounds using theoretical and experimental means. Based on ab initio calculations, we propose the stacking sequence in the [111] direction of GeSb2Te4, GeSb4Te7, and Ge3Sb2Te6 phases to be Te–Ge–Te–Sb–Te–v–Te–Sb–, Te–Ge–Te–Sb–Te–v–Te–Sb–Te–Sb–Te–v–Te–Sb–, and Te–Ge–Te–Ge–Te–Sb–Te–v–Te–Sb–Te–Ge–, respectively, where v is an ordered vacancy layer. This structural model agrees with the X-ray diffraction data of sputter-deposited Ge2Sb2Te5, GeSb2Te4, GeSb4Te7, and Ge3Sb2Te6 thin films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 143, Issues 4–5, July 2007, Pages 240–244
Journal: Solid State Communications - Volume 143, Issues 4–5, July 2007, Pages 240–244
نویسندگان
Zhimei Sun, Stepan Kyrsta, Denis Music, Rajeev Ahuja, Jochen M. Schneider,