کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1596418 | 1515713 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Magnetic properties of epitaxial oxide heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Magnetic properties of epitaxial oxide heterostructures Magnetic properties of epitaxial oxide heterostructures](/preview/png/1596418.png)
چکیده انگلیسی
Diluted Magnetic Semiconductors (DMS) are of great interest as injection sources for spin-polarized currents into semiconductors. Epitaxial devices have been synthesized with an intermediate spacer layer of the same semiconductor (zinc oxide, ZnO) used to produce the DMS material (ZnCoO) ensuring a homoepitaxial junction to help reduce the interface states and conduction mismatch. We observe a large magnetoresistance of about 32% in the devices at low temperatures. The present work suggests that spin polarized transport could be achieved with DMS materials acting as the source of injected spins into a non-magnetic host.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 145, Issues 1â2, January 2008, Pages 18-22
Journal: Solid State Communications - Volume 145, Issues 1â2, January 2008, Pages 18-22
نویسندگان
S. Ramachandran, J.T. Prater, N. Sudhakar, D. Kumar, J. Narayan,