کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1596833 | 1002857 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reentrant high-conduction state in CuIr2S4 under pressure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The results of electrical resistance and angle dispersive X-ray diffraction measurements at high pressures and ambient temperature on the chalcogenide spinel, CuIr2S4 are reported. The resistance increases gradually and reaches around 12Â GPa a value that is approximately forty times the initial value. Above 15Â GPa, the resistance decreases up to 30Â GPa and on further pressure increase tends to saturate at a value slightly above the ambient pressure value. Thus, the material exhibits a reentrant high conducting phase under pressure. The behaviour of the electrical resistance exhibits a close correlation with the structural evolution with pressure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 142, Issue 7, May 2007, Pages 369-372
Journal: Solid State Communications - Volume 142, Issue 7, May 2007, Pages 369-372
نویسندگان
Alka B. Garg, V. Vijayakumar, B.K. Godwal, A. Choudhury, Hans D. Hochheimer,