کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1597055 | 1002903 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single-electron differential-amplifier/inverter/non-inverter
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Single-electron differential-amplifier/inverter/non-inverter Single-electron differential-amplifier/inverter/non-inverter](/preview/png/1597055.png)
چکیده انگلیسی
This work presents a single-electron differential amplifier (SEDA), inverter, and non-inverter based on the triple single-dopant quantum-dot (TSDQD) configuration, with new structures. The competition between the field-induced and confinement-related shifts in the wavefunction of the quantum dots yields a field-controllable spatial-displacement single-electron transistor. Deeper impurity levels in quantum dots promise a higher operating temperature and higher on/off current ratios. The I-V characteristics of the device, studied using the transfer Hamiltonian approach (THA), show that the ratio of on/off currents is >80Â 000 and the voltage gain is >4eVDD/Ryâ, where VDD is the applied voltage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 139, Issue 3, July 2006, Pages 120-125
Journal: Solid State Communications - Volume 139, Issue 3, July 2006, Pages 120-125
نویسندگان
K.-M. Hung, C.-S. Chen, T.-W. Lin,