Dislocation arrays in Cu-Mn single crystals at the end of the yield region

Die Versetzungsanordnung, die sich in Einkristallen aus Cu-1,05 At.-% Mn und Cu-3,3 At.-% Mn während der Verformung bei Raumtemperatur bis zum Ende des Flieβbereiches bildet, wurde elektronenmikroskopisch untersucht. Im Gegensatz zu den Zugaben Al, Ge und Zn verringern die Mn-Atome die Stapelfehlerenergie des reinen Kupfers wahrscheinlich nicht sehr stark. Sie führen jedoch zu einer starken Mischkristallverfestigung, die von einem Wechsel von dem “homogenen” (l At.-% Mn) zum “inhomogenen” (3 At.-% Mn) Verformungsbereich begleitet ist. Eine entsprechende charakteristische Änderung in der Versetzungsanordnung, wie sie bei AI, Ge und Zn beobachtet wird, tritt jedoch nicht auf. Die Beobachtungen werden diskutiert im Hinblick auf die Mischkristallverfestigung und verglichen mit veröffentlichten Ergebnissen über andere kfz. Legierungssysteme.