کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1601501 | 1005201 | 2008 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tracer diffusion of boron in α-Ti and γ-TiAl
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Tracer diffusion of boron in pure α-Ti and γ-TiAl (54 at.% Al) was measured by secondary ion mass spectroscopy using the stable 11B isotope. The diffusion coefficients follow Arrhenius temperature dependencies with the frequency factors D0 = 4.2 Ã 10â6 and 2.48 Ã 10â5 m2 sâ1 and the activation enthalpies Q = 113 and 200 kJ molâ1 for B diffusion in polycrystalline α-Ti and γ-TiAl, respectively. Boron is a fast diffuser in both Ti and TiAl. The ratio of boron and titanium diffusivities is as large as 106-107 in α-Ti and amounts to 103-104 in γ-TiAl. These results indicate a diffusion mechanism involving interstitial jumps. The relatively high activation enthalpy of B diffusion in γ-TiAl is explained by the structure of the octahedral sites in the intermetallic compound.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Intermetallics - Volume 16, Issue 2, February 2008, Pages 148-155
Journal: Intermetallics - Volume 16, Issue 2, February 2008, Pages 148-155
نویسندگان
S.V. Divinski, F. Hisker, T. Wilger, M. Friesel, Chr. Herzig,