کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1601715 | 1005211 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Pressure effect on the electrical resistance of SrSi2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Pressure effect on the electrical resistance of SrSi2 Pressure effect on the electrical resistance of SrSi2](/preview/png/1601715.png)
چکیده انگلیسی
Electrical resistance measurements at temperatures ranging from 4.2 to 300 K and pressures ranging from 0 to 3.6 GPa indicate that pressurization reduces the energy gap Eg with a pressure coefficient, ⅆEg/ⅆP, of −8.8(4) meV/GPa. The deformation potential of Eg is estimated to be 0.50(2) eV, which is smaller than that of tetrahedrally bonded semiconductors, such as Si (1.46 eV). The reduction of Eg by pressurization is qualitatively consistent with the results of a previously reported calculation [Imai Y, Watanabe A. Intermetallics 2006;14:666].
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Intermetallics - Volume 15, Issue 7, July 2007, Pages 956–960
Journal: Intermetallics - Volume 15, Issue 7, July 2007, Pages 956–960
نویسندگان
Motoharu Imai, Takashi Naka, Hideki Abe, Takao Furubayashi,