کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1635258 | 1007021 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of nitrogen-doped p-type ZnO thin films prepared by atomic layer epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Nitrogen-doped, p-type ZnO thin films were grown successfully on sapphire (0001) substrates by using atomic layer epitaxy (ALE). Zn(C2H5)2[Diethylzinc, DEZn], H2O and NH3 were used as a zinc precursor, an oxidant and a doping source gas, respectively. The lowest electrical resistivity of the p-type ZnO films grown by ALE and annealed at 1000°C in an oxygen atmosphere for 1 h was 18.3 Ω·cm with a hole concentration of 3.71 à 1017 cmâ3. Low temperature-photoluminescence analysis and time-dependent Hall measurement results support that the nitrogen-doped ZnO after annealing is a p-type semiconductor.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Rare Metals - Volume 25, Issue 6, Supplement 1, October 2006, Pages 110-114
Journal: Rare Metals - Volume 25, Issue 6, Supplement 1, October 2006, Pages 110-114
نویسندگان
Chongmu LEE, Jongmin LIM, Suyoung PARK, Hyounwoo KIM,