کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1681055 | 1518693 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the threshold of damage formation in aluminum oxide via electronic excitations
ترجمه فارسی عنوان
در آستانه ایجاد آسیب در اکسید آلومینیوم از طریق تحریکات الکترونیکی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
This work is aimed to determine the threshold of dense ionization induced damage formation and their morphology in sapphire single crystals irradiated with 1.2 MeV/amu Xe ions. Cross-sectional TEM examination of r-oriented Al2O3 specimens irradiated to fluences of 2 × 1012 and 2 × 1013 cm−2 has revealed discontinuous ion tracks visible from the irradiated surface up to a depth of 7.6 ± 0.1 μm. According to the SRIM code calculation, the threshold electronic stopping power for track formation in Al2O3 is within the range 9.8 ÷ 10.5 keV/nm. This value agrees with those predicted by both inelastic and analytical thermal spike models.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 326, 1 May 2014, Pages 223–227
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 326, 1 May 2014, Pages 223–227
نویسندگان
V.A. Skuratov, J. O’Connell, N.S. Kirilkin, J. Neethling,