کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1681082 | 1518693 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evolution of defects in silicon carbide implanted with helium ions
ترجمه فارسی عنوان
تکامل نقص در کاربید سیلیکون ایمپلنت با یونهای هلیوم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
کاربید سیلیکون، هلیم، ایمپلنت، کاستی، آسیب تابشی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
The RBS/c measurements show distinctly different annealing behavior of displaced Si atoms at doses below or above the threshold for helium bubble formation. The RBS/c yield in the peak damage region of the specimen implanted to 3 Ã 1016 He-ions cmâ2 shows an increase on the subsequently thermal annealing above 873 K, which is readily ascribed to the extra displacement of Si atoms due to helium bubble growth. The RBS/c yield in the specimen implanted to a lower ion fluence of 1.5 Ã 1016 He-ions cmâ2 decreases monotonously on annealing from ambient temperatures up to 1273 K. The PBDB measurements supply evidence of clustering of vacancies at temperatures from 510 to 1173 K, and dissociation of vacancy clusters above 1273 K. The similarity of annealing behavior in PBDB profiles for helium implantation to 1 Ã 1016 and 3 Ã 1016 ions cmâ2 is ascribed to the saturation of trapping of positrons in vacancy type defects in the damaged layers in the specimens helium-implanted to the two dose levels.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 326, 1 May 2014, Pages 345-350
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 326, 1 May 2014, Pages 345-350
نویسندگان
Chonghong Zhang, Yin Song, Yitao Yang, Chunlan Zhou, Long Wei, Hongji Ma,