کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1682404 | 1010469 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
In situ variations of the scintillation characteristics in GaN and CdS layers under irradiation by 1.6 MeV protons
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Evolution of the non-radiative and radiative recombination in GaN and CdS 2.5–20 μm thick layers has been examined by the in situ measurements of the 1.6 MeV proton induced luminescence and laser excited photoconductivity characteristics. The introduction rate of radiation defects has been evaluated by the comparative analysis of the laser and proton beam induced luminescence for the examined GaN and CdS layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 365, Part A, 15 December 2015, Pages 159–162
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 365, Part A, 15 December 2015, Pages 159–162
نویسندگان
E. Gaubas, T. Ceponis, J. Pavlov, A. Tekorius,