کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1683730 | 1518751 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of InAs/GaSb-based superlattices by diffraction methods
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We use high-resolution X-ray diffraction and high-resolution transmission electron microscopy in order to study the strain state, atomic intermixing and layer thicknesses in the MBE-grown GaSb/InSb/InAs/InSb superlattices. Simple and fast metrology procedure is developed, which allows us to obtain the most important technological parameters, such as the thicknesses of the GaSb, InAs and ultra-thin InSb sub-layers, the superlattice period and the fraction of atomic substitutions in the InSb sub-layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 268, Issues 3–4, February 2010, Pages 231–235
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 268, Issues 3–4, February 2010, Pages 231–235
نویسندگان
Y. Ashuach, Y. Kauffmann, E. Lakin, E. Zolotoyabko, S. Grossman, O. Klin, E. Weiss,