کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1684288 | 1518749 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Depth-profiling of implanted 28Si by (α,α) and (α,p0) reactions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, (α,α) and (α,p0) reactions are applied to study depth distributions of 70 keV 28Si+ ions implanted in 200 nm SiO2 layers with fluences of 1 Ã 1017 and 2 Ã 1017 cmâ2. Analysis is performed above ER = 3864 keV to take advantage of resonances in both (α,α) and (α,p0) cross-sections. We show how (α,p0) reactions can complement results provided by resonant backscattering measurements in this complex case.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 268, Issues 11â12, June 2010, Pages 2107-2110
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 268, Issues 11â12, June 2010, Pages 2107-2110
نویسندگان
J. Demarche, M. Yedji, G. Terwagne,