کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1684760 | 1518760 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Silicon nanowire synthesis on metal implanted silicon substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Epitaxial silicon nanowires were grown on gold (Au) implanted silicon substrates by chemical vapour deposition (CVD). We studied the gold droplet formation upon annealing of the Au implanted silicon and discuss the gold droplets capability to catalyze the vapour–liquid–solid (VLS) growth of silicon nanowires. Furthermore, we investigated the annealing behaviour of implanted gallium, indium, and aluminum in silicon and discuss why and how they differ from gold. It was found that they do not easily serve as a template for VLS nanowire growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 257, Issues 1–2, April 2007, Pages 172–176
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 257, Issues 1–2, April 2007, Pages 172–176
نویسندگان
Th. Stelzner, G. Andrä, F. Falk, E. Wendler, W. Wesch, R. Scholz, S. Christiansen,