کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1687983 | 1010705 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
P2 dimer implantation in silicon: A molecular dynamics study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Using molecular dynamics simulations we investigate the influence of lattice-mediated vicinage effects in molecular P2 implantation events into silicon with energies in the low-keV range. We find that lattice-mediated vicinage effects are insignificant and hence that the dimer implantation can be closely approximated by two single-ion implantations a short distance apart. The simulations are applied to the technological problem of creating devices consisting of closely-spaced donors for the investigation of inter-donor coupling effects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 251, Issue 2, October 2006, Pages 395–401
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 251, Issue 2, October 2006, Pages 395–401
نویسندگان
H.F. Wilson, S. Prawer, P.G. Spizzirri, D.N. Jamieson, N. Stavrias, D.R. McKenzie,