کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1687992 | 1010705 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Consecutive stages of redistribution of oxygen implanted in silicon heavily doped with boron
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The gettering of oxygen in this sublayer during annealing is supposed to be caused by amorphous-like imperfections survived after relaxation of dense cascades produced by Si primary recoils received the energy higher than “threshold” energy 5Â keV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 251, Issue 2, October 2006, Pages 445-450
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 251, Issue 2, October 2006, Pages 445-450
نویسندگان
V.I. Obodnikov, E.G. Tishkovsky, A.G. Cherkov, L.I. Fedina,