کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1689343 | 1011225 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoresponse of hydrogen plasma treated and electron irradiated silicon wafers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The experiments have shown that the hydrogenation of the p-type wafers leads to the appearance of PV signal similar to that for silicon photodiodes as a result of the n-type layer creation near the hydrogenated surface. A drawing field created in the p-type wafers in consequence of their hydrogenation decreases the effect of the carrier diffusion length reduction due to electron irradiation that makes the hydrogenated p-type wafers less sensitive to the radiation impact.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 81, Issue 10, 15 June 2007, Pages 1332-1336
Journal: Vacuum - Volume 81, Issue 10, 15 June 2007, Pages 1332-1336
نویسندگان
O. Zinchuk, N. Drozdov, A. Mazanik, A. Fedotov, P. Å»ukowski, J. Partyka, P. WÄgierek, T. KoÅtunowicz,