کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1689477 | 1011230 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of defects in the near-surface layer created in silicon by H2+ or He+ implantation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Thermal donors formation in silicon implanted with H2+ or He+ ions or co-implanted with both kinds of ions and annealed at 720Â K under atmospheric and enhanced pressure was studied. Interaction between defects from different implanted layers was also analysed. Local strain in implanted layers was found to determine the process of defect and impurity redistribution.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 81, Issue 9, 25 May 2007, Pages 1047-1050
Journal: Vacuum - Volume 81, Issue 9, 25 May 2007, Pages 1047-1050
نویسندگان
Wojciech Jung, Irina V. Antonova, Andrzej Misiuk,