کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1689789 | 1011240 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation and desorption of SiI2 molecules
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The chemical etching of Si(100)−(2×1) in I2 ambient is considered. The desorption activation energy of SiI2 molecules is evaluated from experimental data. It is found that the desorption activation energy of SiI2 molecules is equal to Ed=(1.95±0.02)eV. This corresponds to a value of the mean lifetime of adsorbed molecules on the surface of τ=(380±150)s at temperature T=650K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 81, Issue 5, 5 January 2007, Pages 676–679
Journal: Vacuum - Volume 81, Issue 5, 5 January 2007, Pages 676–679
نویسندگان
R. Knizikevičius,