کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1690179 | 1518951 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of annealing on CeO2-based flash memories
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, CeO2 was used as a trapping layer in metal oxide high-K-oxide-Si (MOHOS)-type memory devices. This trapping layer underwent annealing to enhance memory performance. Multiple material analyses indicate that annealing enables enhanced crystallization and suppresses silicate formation. MOHOS-type flash memory devices incorporating a CeO2 charge trapping layer annealed at 950 °C exhibited a large memory window of 4.7 V, as well as a fast program and erase speed. Our research indicates that MOHOS-type memory devices utilizing CeO2 show great promise for future industrial flash memory applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 118, August 2015, Pages 69-73
Journal: Vacuum - Volume 118, August 2015, Pages 69-73
نویسندگان
Chyuan Haur Kao, Hsiang Chen, Su Zhien Chen, Sheng-Hao Hung, Chian You Chen, Yun-Yang He, Shang-Ren Lin, Kun-Min Hsieh, Min-Han Lin,