کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1690527 | 1011262 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
CF3+ etching silicon surface: A molecular dynamics study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We examined the etching mechanism. ⺠Erosion of Si is dominated by formation of SiF3. ⺠The formed reaction layer mainly consists of CF and SiF.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 86, Issue 7, 8 February 2012, Pages 913-916
Journal: Vacuum - Volume 86, Issue 7, 8 February 2012, Pages 913-916
نویسندگان
C. Zhao, X. Lu, P. He, P. Zhang, W. Sun, J. Zhang, F. Chen, F. Gou,