کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1690635 | 1011269 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimization of n+ nc-Si:H and a-SiNx:H layers for their application in nc-Si:H TFT
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Optimization of n+ nc-Si:H and a-SiNx:H layers for their application in nc-Si:H TFT Optimization of n+ nc-Si:H and a-SiNx:H layers for their application in nc-Si:H TFT](/preview/png/1690635.png)
چکیده انگلیسی
⺠The resistivity values of n+ nc-Si:H films increase by more than 7 orders of magnitude when the film thickness decreases below a critical value (â¼45 nm). ⺠There is an optimum RF power density for the deposition of n+ nc-Si:H films to minimize the film resistivity, i.e. to decrease the contact resistance in nc-Si:H based thin film transistor. ⺠NH3/SiH4 flow ratio used during the growth of a-SiNx:H layer (or N-H/Si-H ratio within the film) affects the threshold voltage of nc-Si:H based thin film transistor.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 85, Issue 9, 25 February 2011, Pages 875-880
Journal: Vacuum - Volume 85, Issue 9, 25 February 2011, Pages 875-880
نویسندگان
Tamila (Aliyeva) Anutgan, Mustafa Anutgan, Ismail Atilgan, Bayram Katircioglu,