کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1691023 1011291 2009 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development and application of highly charged ion source
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Development and application of highly charged ion source
چکیده انگلیسی
The interaction of slow highly charged ions (HCIs) with solid surfaces is useful for 'nanoprocess'; the modification, activation, machining and analysis in nanometer scale. An electron beam ion source 'Kobe EBIS' has been developed for the application of HCIs to nanoprocesses. The ion source produces ion beams of Arq+ (q ≤ 12) HCI in the nanoampere range. The ion source was applied to irradiate samples in order to investigate the structural or electric modification effect of HCIs with high fluence on the topmost layers of sample surfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 84, Issue 5, 10 December 2009, Pages 530-533
نویسندگان
, , , , , , , , , ,