کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1691023 | 1011291 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development and application of highly charged ion source
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Development and application of highly charged ion source Development and application of highly charged ion source](/preview/png/1691023.png)
چکیده انگلیسی
The interaction of slow highly charged ions (HCIs) with solid surfaces is useful for 'nanoprocess'; the modification, activation, machining and analysis in nanometer scale. An electron beam ion source 'Kobe EBIS' has been developed for the application of HCIs to nanoprocesses. The ion source produces ion beams of Arq+ (q â¤Â 12) HCI in the nanoampere range. The ion source was applied to irradiate samples in order to investigate the structural or electric modification effect of HCIs with high fluence on the topmost layers of sample surfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 84, Issue 5, 10 December 2009, Pages 530-533
Journal: Vacuum - Volume 84, Issue 5, 10 December 2009, Pages 530-533
نویسندگان
Makoto Sakurai, Hiroyuki Onishi, Ken Asakura, Masahide Tona, Hirofumi Watanabe, Nobuyuki Nakamura, Shunsuke Ohtani, Toshifumi Terui, Shinro Mashiko, Hiroyuki A. Sakaue,