کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1691288 | 1011308 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MBE-Technology for nanoelectronics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Molecular beam epitaxy (MBE) is presented as a powerful and flexible technology for research and development (R&D) as well as for mass production of nanoelectronic structures, based on a huge variety of materials. Its historical background, basic properties, advantages-in particular the production potential-as well as some trends in the field are shown.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 10, 3 June 2008, Pages 951-955
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 10, 3 June 2008, Pages 951-955
نویسندگان
Kamil Kosiel,