کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1691462 | 1011315 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
APMOVPE growth and characterisation of undoped GaAsN/GaAs heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Unusual properties of the diluted nitrides AIIIBV-N make them very attractive in the point of view of fundamental investigations and practical applications. This work presents the growth characteristics and properties of the undoped GaAs1âxNx/GaAs heterostructures obtained by the atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (APMOVPE). The properties of the heterostructures were examined using high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), photoreflectance spectroscopy (PR), photoluminescence (PL), photovoltage spectroscopy (PVS) and mercury probe C-V set-up with an HP 4192A impedance analyser (5Â Hz-13Â MHz). The maximum nitrogen content in GaAs1âxNx epilayers, determined from PR spectra, did not exceed 1.74%. The influence of the growth temperature (Tg) and the nitrogen source concentration in gas phase (Xg) on the properties of the GaAs1âxNx/GaAs heterostructures is presented and discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 4, 12 December 2007, Pages 377-382
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 4, 12 December 2007, Pages 377-382
نویسندگان
B. Åciana, D. Pucicki, D. Radziewicz, J. SerafiÅczuk, J. KozÅowski, B. Paszkiewicz, M. TÅaczaÅa, P. Poloczek, G. SÄk, J. Misiewicz,