کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1691464 | 1011315 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Functionally graded semiconductor layers for devices application
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report on various aspects of the application of functionally graded materials (FGM) for devices fabrication. The broad spectrum of problems ranging from design and technology of graded structures to its characterization is discussed. The main attention is focused on the application of FGM as an active area of a new photo-detector. The influence of various profile distributions of AIIIBV grading layers composition and layers configuration on the photo-detector spectral characteristics are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 4, 12 December 2007, Pages 389–394
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 4, 12 December 2007, Pages 389–394
نویسندگان
B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Wosko, D. Radziewicz, B. Ściana, A. Szyszka, W. Macherzynski, M. Tłaczała,